Corrosão de silício por plasma para aplicação em microcanais.

• Ano de defesa: 1998
• Autor(a) principal: Mansano, Ronaldo Domingues
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Corrosão; Corrosão por plasma; Microelectronics; Microeletrônica; Microfluidrics; Microfruídrica; Plasma etching; Plasma processing; Plasma technology; Tecnologias de plasma
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14062022-092819/

A corrosão por plasma de canais em silício monocristalino é uma das mais importantes etapas de processo na fabricação de micromáquinas e sensores. Neste trabalho são estudados vários processos de corrosão de silício por plasma usando gases fluorados, para obter canais com anisotropia de perfil controlada. Usando o gás CBr\'F IND.3\' foram obtidos canais com paredes verticais, com baixa rugosidade e com profundidade em torno de vinte micrometros. A adição de S\'F IND.6\' aumenta a taxa de corrosão, mas causa perda de anisotropia pela corrosão por baixo da máscara. Em processos de corrosão por plasma usando S\'F IND.6\' puro, obtém-se perfis arredondados com taxas de corrosão de vários micrometros por minuto. Para obter perfis verticais é necessário o uso de um eletrodo de grafite como fonte de carbono e a adição de argônio e hidrogênio. Com a adição desses dois gases ocorre a polimerização do carbono nas paredes inibindo a corrosão lateral, aumentando assim a anisotropia dos perfis. Canais com paredes verticais e profundidade de vinte e sete micrometros foram obtidos usando estes processos. As taxas de corrosão obtidas são de apenas duzentos nanômetros por minuto. Os plasmas de alta densidade (acoplados indutivamente) são usados para obter altas taxas de corrosão com baixas pressões. Neste trabalho foi adaptado em um reator de corrosão com ions reativos um sistema de plasma com acoplamento indutivo. Nos primeiros testes do novo sistema foram conseguidos canaisverticais em silício com taxas de corrosão de um micrometro por minuto usando S\'F IND.6\' puro. A rugosidade dos canais obtidos com este sistema é bastante reduzida. Os processos desenvolvidos neste trabalho estão sendo usados na fabricação de vários dispositivos, como emissores de campo, moldes para deposição de diamante, amplificadores fluídricos etc