Anisotropia de resistividade elétrica em filmes finos nanoestruturados.

• Ano de defesa: 2007
• Autor(a) principal: Teixeira, Fernanda de Sá
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Atomic force microscopy; Deposição por plasma; Electrical resistivity; Litografia; Litography; Materiais nanoestruturados; Microfabricação; Microfabrication; Microscopia de força atômica; Microscopia eletrônica de varredura; Nanofabricação; Nanofabrication; Nanolithography; Nanolitografia; Nanostructured materials; New Materials; Novos materiais; Plasma (microeletrônica); Plasma (microeletronics); Plasma deposition; Resistividade elétrica; Scanning electron microscopy
• Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27072007-175354/

O objetivo principal deste trabalho foi desenvolver um dispositivo de filme fino com anisotropia de resistividade elétrica. A idéia foi usar um efeito quântico presente em filmes muito finos de materiais condutores ou semicondutores com morfologia anisotrópica na superfície. A morfologia foi um perfil unidirecional quase-senoidal. As resistividades foram determinadas medindo-se as resistências elétricas destes materiais em direções ortogonais, levando-se em conta a geometria da amostra e suas dimensões. O material condutor usado foi Polimetilmetacrilato (PMMA) com ouro implantado na superfície. A profundidade média de implantação foi 2,7 nm. Na fabricação do dispositivo foi utilizada micro e nanolitografia, caracterização por Microscopia Eletrônica de Varredura e Microscopia de Força Atômica e implantação de ouro por MePIIID (Metal Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition).