Estruturas de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos.

• Ano de defesa: 1992
• Autor(a) principal: Mafra Júnior, Johnny José
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Materiais; Materials
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-070858/

É adotada uma estrutura de fonte e dreno com siliceto de titânio auto-alinhados (SALICIDE) e barreira de difusão de titânio para resolver os problemas que surgem ao diminuir o tamanho dos dispositivos (escalamento): aumento das resistências de contato, de interconexão, fonte, dreno, perfuração e junções rasas pelo alumínio. Foram construídas várias estruturas de fonte e dreno, para comparar os desempenhos, auxiliar na identificação dos mecanismos de falha e comprovar as vantagens da estrutura adotada. O processo foi projetado usando-se o SUPREM III e o programa IDEN. A caracterização elétrica foi feita em cerca de 15000 dispositivos. Isso fornece a necessária confiabilidade e representatividade aos resultados e permite a sua análise estatisticamente. A estrutura SALICIDE adotada mostrou-se vantajosa, pois a resistÊncia de folha é uma ordem de grandeza menor que a implantação iônica de fonte e dreno e a resistência de contato é duas ordens de grandeza menor que para o \'AL\' 1% \'SI\'. A barreira de titânio foi eficiente para proteger as junções rasas e observou-se que um siliceto mais fino fornece junções melhores. A viabilidade e as vantagens do processo SALICIDE para a construção de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos foi comprovada e esta pronta para ser aplicada na implementação de transistores completos.