Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores MOS convencionais e SOI MOS.

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1995
Autor(a) principal: Nicolett, Aparecido Sirley
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/
Resumo: A resistência série e o comprimento efetivo de canal são dois parâmetros de extrema importância para a correta caracterização dos dispositivos MOSFET\'s. A dependência destes parâmetros em função das condições de polarização e temperatura é abordada, atualmente, em muitos dos métodos existentes, os quais reforçam a importância destes parâmetros na caracterização de uma tecnologia MOS, e expõem as dificuldades da extração destes parâmetros, principalmente para dispositivos com dimensões submicrométricas e que normalmente utilizam estrutura LDD. Os resultados obtidos da resistência série e do comprimento efetivo de canal mostraram-se dependentes das condições de polarização e temperatura, porém alguns destes apresentaram valores negativos para (\'l ind.masc\' - \'l ind.ef\'), indicando que o comprimento efetivo de canal era maior que o comprimento de canal definido pela máscara. A análise detalhada desses resultados foi realizada com a utilização dos programas bidimensionais TSUPREM-4 e MEDICI, na qual foi estudada a inflência de diferentes resistências série e do fator de degradação da mobilidade na extração da resistência série e do comprimento efetivo de canal. Foi demonstrado que, se o fator de degradação da mobilidade for diferente para cada transistor da cascata utilizada na extração do (\'l ind.masc\' - \'l ind.ef\'), valores negativos podem ser obtidos.