Estudo da resistência série e do comprimento efetivo de canal em transistores MOS convencionais e SOI MOS.

• Ano de defesa: 1995
• Autor(a) principal: Nicolett, Aparecido Sirley
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Materiais; Materials
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/

A resistência série e o comprimento efetivo de canal são dois parâmetros de extrema importância para a correta caracterização dos dispositivos MOSFET\'s. A dependência destes parâmetros em função das condições de polarização e temperatura é abordada, atualmente, em muitos dos métodos existentes, os quais reforçam a importância destes parâmetros na caracterização de uma tecnologia MOS, e expõem as dificuldades da extração destes parâmetros, principalmente para dispositivos com dimensões submicrométricas e que normalmente utilizam estrutura LDD. Os resultados obtidos da resistência série e do comprimento efetivo de canal mostraram-se dependentes das condições de polarização e temperatura, porém alguns destes apresentaram valores negativos para (\'l ind.masc\' - \'l ind.ef\'), indicando que o comprimento efetivo de canal era maior que o comprimento de canal definido pela máscara. A análise detalhada desses resultados foi realizada com a utilização dos programas bidimensionais TSUPREM-4 e MEDICI, na qual foi estudada a inflência de diferentes resistências série e do fator de degradação da mobilidade na extração da resistência série e do comprimento efetivo de canal. Foi demonstrado que, se o fator de degradação da mobilidade for diferente para cada transistor da cascata utilizada na extração do (\'l ind.masc\' - \'l ind.ef\'), valores negativos podem ser obtidos.