Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1995 |
Autor(a) principal: |
Nicolett, Aparecido Sirley |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3133/tde-16082024-103952/
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Resumo: |
A resistência série e o comprimento efetivo de canal são dois parâmetros de extrema importância para a correta caracterização dos dispositivos MOSFET\'s. A dependência destes parâmetros em função das condições de polarização e temperatura é abordada, atualmente, em muitos dos métodos existentes, os quais reforçam a importância destes parâmetros na caracterização de uma tecnologia MOS, e expõem as dificuldades da extração destes parâmetros, principalmente para dispositivos com dimensões submicrométricas e que normalmente utilizam estrutura LDD. Os resultados obtidos da resistência série e do comprimento efetivo de canal mostraram-se dependentes das condições de polarização e temperatura, porém alguns destes apresentaram valores negativos para (\'l ind.masc\' - \'l ind.ef\'), indicando que o comprimento efetivo de canal era maior que o comprimento de canal definido pela máscara. A análise detalhada desses resultados foi realizada com a utilização dos programas bidimensionais TSUPREM-4 e MEDICI, na qual foi estudada a inflência de diferentes resistências série e do fator de degradação da mobilidade na extração da resistência série e do comprimento efetivo de canal. Foi demonstrado que, se o fator de degradação da mobilidade for diferente para cada transistor da cascata utilizada na extração do (\'l ind.masc\' - \'l ind.ef\'), valores negativos podem ser obtidos. |