Estruturas de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos. - Mafra Júnior, Johnny José (1992)
É adotada uma estrutura de fonte e dreno com siliceto de titânio auto-alinhados (SALICIDE) e barreira de difusão de titânio para resolver os problemas que surgem ao diminuir o tamanho dos dispositivos (escalamento): aumento das resistências de contato, de interconexão, fonte, dreno, perfuração e junções rasas pelo alumínio. Foram construídas várias estruturas de fonte e dreno, para comparar os desempenhos, auxiliar na identificação dos mecanismos de falha e comprovar as vantagens da estrutura adotada. O processo foi projetado usando-se o SUPREM III e o programa IDEN. A caracterização elétrica foi feita em cerca de 15000 dispositivos. Isso fornece a necessária confiabilidade e representatividade aos resultados e permite a sua análise estatisticamente. A estrutura SALICIDE adotada mostrou-se vantajosa, pois a resistÊncia de folha é uma ordem de grandeza menor que a implantação iônica de fonte e dreno e a resistência de contato é duas ordens de grandeza menor que para o \'AL\' 1% \'SI\'. A barreira de titânio foi eficiente para proteger as junções rasas e observou-se que um siliceto mais fino fornece junções melhores. A viabilidade e as vantagens do processo SALICIDE para a construção de fonte e dreno para transistores MOS submicrométricos foi comprovada e esta pronta para ser aplicada na implementação de transistores completos.