Estudo da fotocapacitância em dispositivos MIS orgânicos

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 2012
Autor(a) principal: Sabino, Fernando Pereira [UNESP]
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://hdl.handle.net/11449/99664
Resumo: A eletrônica orgânica é muito atrativa para a fabricação de circuitos flexiveis e de grande área a partir de soluções em solventes orgânicos. Entretanto, dispositivos totalmente orgânicos devem incluir transitores, e estes ainda necessitam ser aprimorados para que possam ser comercializados, sendo que os principais desafios são aumentar a capacidade de chaveamento de corrente e melhorar a estabilidade. Estes fatores podem estar relacionados com as propriedades dos semicondutores orgânicos, como a distribuição das bandas de energia, mecanismo de transporte de cargas, mobilidade dos portadores, entre outros. Assim, as equações convencionais de semicondutores inorgânicos devem ser devidamente adaptadas para que possam ser aplicadas aos dispositivos orgânicos. Nesta dissertação estuda-se o capacitador metal-isolante-semicondutor (MIS), que é usualmente, caracterizado através de medidas de capacitância e perde dielétrica em função de freqüência e da voltagem. Representa-se a amostra por circuitos equivalentes para simular as curvas de capacitância e perda dielétrica em função da voltagem. Um circuito básico que serve como gabarito, onde os demais efeitos podem ser inclusos, é apresentado, e dentre esses efeitos são estudados a análise da camada de acumulação, estados interfaciais e a interação do MIS com a luz. Mostra-se que as curvas de capacitância e perda dialética simuladas reproduzem adequadamente o comportamento dos estados interfaciais gerando um pico nas curvas de perda dielétrica em função da voltagem, cuja posição e intensidade variam com a densidade de estados interfaciais, a probabilidade de captura e a frequencia. Também é estudada a geração de portadores devido a iluminação. Os efeitos da iluminação podem ser modelados incluindo um capacitar no...