Desenvolvimento de instrumentação baseada em MOSFET para medição não- invasiva do potencial de pico (kVp) em tubos de raios X
Ano de defesa: | 2022 |
---|---|
Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Tese |
Tipo de acesso: | Acesso embargado |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Pernambuco
UFPE Brasil Programa de Pos Graduacao em Tecnologias Energeticas e Nuclear |
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
País: |
Não Informado pela instituição
|
Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/46084 |
Resumo: | A medição de parâmetros de feixes de raios X aplicados ao diagnóstico médico utilizando semicondutores tem se mostrado economicamente viável, além de ser uma alternativa compacta e robusta frente aos tradicionais detectores a gás. Este trabalho apresenta uma inovadora técnica de medição não invasiva da tensão aplicada ao tubo de raios X (kVp) baseada na relação do efeito da chuva de elétrons com a espessura do encapsulamento de um MOSFET quando exposto a um feixe de radiação ionizante. A vantagem sobre as técnicas convencionais (as quais usam filtros de radiação com diferentes espessuras) reside na maior amplitude do sinal de saída em tempo real que o dispositivo pode fornecer no processo de medição do kVp. Para validação da técnica, foram efetuados diversos testes típicos de sensores sob efeito de raios X de um equipamento clínico para o radiodiagnóstico. Os resultados apontam que o MOSFET utilizado pode fornecer o valor do kVp com alta precisão, originando um pedido de patente de inovação tecnológica no INPI. |