Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1996 |
| Autor(a) principal: |
Sonnenberg, Victor |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101008/
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Resumo: |
Neste trabalho, foi analisada a região de sublimiar do transistorSOI MOSFET de camada fina operando a temperatura ambiente e criogênica (T=77K) através do inverso da inclinação de sublimiar (Fator S) em função da tensão do substrato. Realizou-se simulações numéricas bidimensionais MEDICI para avaliar o efeito da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface no Fator S, nas condições de segunda interface acumulada e depletada e foi proposto um método simples para a determinação destas densidades. Experimentalmente, observou-se uma região de transição entre o Fator S com a segunda interface acumulada e o Fator S com a segunda interface depletada não modelada pelas equações clássicas. Pela literatura esta região de transição é causada pela variação da densidade de armadilhas na segunda interface, no entanto, esta transição pode ser causada pelo fato da segunda interface não estar totalmente depletada, comprovado atravás de simulações da região de depleção. Nas medidas realizadas a temperatura criogênica observou-se efeitos transitórios causados pela não formação da camada de acumulação na segunda interface. Desenvolveu-se um método experimental para se reduzir estes efeitos transitórios. |
