Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2022 |
Autor(a) principal: |
CAVALCANTI, Francisco Alves |
Orientador(a): |
SANTOS, Luiz Antonio Pereira dos,
SILVA, Edvane Borges da |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Tese
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Tipo de acesso: |
Acesso embargado |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Pernambuco
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Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pos Graduacao em Tecnologias Energeticas e Nuclear
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Brasil
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/46084
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Resumo: |
A medição de parâmetros de feixes de raios X aplicados ao diagnóstico médico utilizando semicondutores tem se mostrado economicamente viável, além de ser uma alternativa compacta e robusta frente aos tradicionais detectores a gás. Este trabalho apresenta uma inovadora técnica de medição não invasiva da tensão aplicada ao tubo de raios X (kVp) baseada na relação do efeito da chuva de elétrons com a espessura do encapsulamento de um MOSFET quando exposto a um feixe de radiação ionizante. A vantagem sobre as técnicas convencionais (as quais usam filtros de radiação com diferentes espessuras) reside na maior amplitude do sinal de saída em tempo real que o dispositivo pode fornecer no processo de medição do kVp. Para validação da técnica, foram efetuados diversos testes típicos de sensores sob efeito de raios X de um equipamento clínico para o radiodiagnóstico. Os resultados apontam que o MOSFET utilizado pode fornecer o valor do kVp com alta precisão, originando um pedido de patente de inovação tecnológica no INPI. |