[pt] ESTUDO TEÓRICO E EXPERIMENTAL SOBRE HEMTS DE MICROONDAS
Ano de defesa: | 2007 |
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Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Tese |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
MAXWELL
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9473&idi=1 https://www.maxwell.vrac.puc-rio.br/colecao.php?strSecao=resultado&nrSeq=9473&idi=2 http://doi.org/10.17771/PUCRio.acad.9473 |
Resumo: | [pt] Neste trabalho é realizado um estudo sobre os transistores HEMT. A partir da geometria do dispositivo, espessuras e densidades de dopagem das camadas que compõem a heterojunção, são obtidas expressões analíticas para a característica IXV do componente bem como para o circuito equivalente de pequenos sinais na faixa de microondas. Posteriormente, os principais efeitos ópticos que ocorrem nos HETM´s são discutidos. O objetivo é determinar o comportamento do dispositivo quando este é iluminado com energia óptica. Ênfase especial é dada aos efeitos fotocondutivo e fotovoltaico. Finalmente, duas aplicações práticas explorando os mecanismos citados acima são apresentadas: sintonia óptica de um oscilador de microondas operando em 2 Ghz e controle óptico do ganho de um amplificador de microondas. |