Fabricação e caracterização de detetores fotocondutivos de Pb1-xSnxTe

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1983
Autor(a) principal: César Boschetti
Orientador(a): Irajá Newton Bandeira
Banca de defesa: César Celeste Ghizoni, Ronald Ranvaud, Mário Luiz Selingardi
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação do INPE em Eletrônica e Telecomunicações
Departamento: Não Informado pela instituição
País: BR
Resumo em Inglês: This work gives a general account of the properties, growing technology and annealing of Lead-Tin-Telluride single crystals. Photoconductors were made for the 8-14 um spectral range and responsivity, detectivity and spectral response measurements showed satisfàctory results. Improvement in the growing and annealing of the single crystals promíse good performance in a near future.
Link de acesso: http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21c/2018/06.27.12.19
Resumo: O trabalho relata, em linhas gerais, as propriedades, o processo de crescimento e o recozimento de monocristais de Pbi_xSnxTe, a par tir dos quais foram construídos fotocondutores operantes na faixa espectral de 8 - 14 pm. Foram efetuadas medidas de responsividade, detetividade e resposta espectral relativa, que forneceram resultados satisfatórios. Um melhor domínio das técnicas de purificação do material e crescimento do cristal promete melhores resultados em futuro próximo.