Aplicação de transistores SOI sem junções em espelhos de corrente de diferentes arquiteturas

• Ano de defesa: 2023
• Autor(a) principal: Shibutani, André Balbino
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: SOI; MOSFET; Espelhamento
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/4766; https://doi.org/10.31414/EE.2023.D.131611

O transistor sem junções (JNT) é um transistor de efeito de campo com características de ultrabaixa potência, que apresenta características elétricas promissoras em comparação com os SOI MOSFETs modo inversão, além de um processo de fabricação mais simples. Na perspectiva analógica, o transistor apresenta uma baixa condutância de saída, um alto ganho de tensão de malha aberta em baixas frequências, uma inclinação de sublimiar próxima ao ideal e um baixo DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Complementarmente, o transistor dessa pesquisa usa a tecnologia de silício-sobre-isolante (SOI – Silicon-On-Insulator) juntamente com a tecnologia de porta tripla, ambas melhorando o acoplamento capacitivo e o controle das cargas do canal. Apesar das vantagens do JNT mencionadas sugerirem uma fácil implementação em circuitos integrados, o transistor tem uma peculiaridade que consiste na dependência da tensão de limiar com as dimensões do dispositivo e com a concentração de dopantes da região ativa. Assim, em face dessas dificuldades, o trabalho avalia a configuração do espelho de corrente de fonte comum constituído por transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) sem junções de efeito de campo compostos por arranjos simétricos com diferentes concentrações de dopantes. Ademais, com o intuito de entender o comportamento como fonte de corrente, uma corrente normalizada fixa de 1µA é aplicada a entrada dos espelhos de corrente desse trabalho enquanto a corrente de saída é variada de 0 a 3V. Entre as simulações numéricas 3D realizadas, cujos transistores foram calibrados a partir de medidas experimentais, o erro de precisão de espelhamento dos espelhos de corrente simétricos indica um melhor desempenho de transistores de menores dimensões (Para ND = 5 x 1018 cm-3, Wfin = 10 nm e tensões de saída maiores que 0,4 V, o máximo erro de precisão de espelhamento é de 14,01%, 0,15% e 0,15% para os espelhos de corrente fonte comum, Wilson e Cascode, respectivamente). Por outro lado, os resultados sugerem que, para configurações assimétricas, os transistores sem junções podem apresentar precisões de espelhamento similares a MOSFETs modo inversão, dependendo da concentração de dopantes da região ativa. Adicionalmente, as configurações Cascode e Wilson também são estudadas com o enfoque de melhorar o desempenho dos espelhos de corrente de fonte comum. Com esse intuito, os níveis de condutância e transcondutância são analisados para cada configuração, uma vez que ambas as figuras de mérito, no geral, são menores que as encontradas em SOI MOSFETs modo inversão, o que resulta em resistências de pequenos sinais diferenciadas para os espelhos de corrente de configurações fonte comum, Wilson e Cascode