Estudo de modelos de mobilidade para simulação de dispositivos de múltiplas portas

• Ano de defesa: 2012
• Autor(a) principal: Perin, André Luiz
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
• Palavras-chave em Português: Transistores
• Link de acesso: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/405

A utilização da tecnologia SOI ajudou a melhorar a escalabilidade dos transistores mas, com a redução das dimensões, permaneceram relevantes alguns efeitos adversos e indesejáveis. Esses efeitos impulsionaram o desenvolvimento e a produção em massa de dispositivos de múltiplas portas, que possuem estruturas tridimensionais. Tais estruturas utilizam diversos planos cristalinos nas interfaces do silício com o dielétrico e, com isso, alguns parâmetros elétricos, como a mobilidade, possuem valores diferentes nas várias interfaces definidas. Neste trabalho é proposto um modelo de mobilidade de elétrons, desenvolvido com o objetivo de calcular a mobilidade em função das possíveis variações da orientação cristalina da superfície em um dispositivo tridimensional. Variações desse modelo foram aplicadas aos transistores surrounding gate CYNTHIA e triple-gate do tipo nMOS. Foi realizada a implementação do modelo em um simulador numérico tridimensional. Também foram realizadas simulações com os dois tipos de dispositivos, os resultados comparados a valores experimentais e aos resultados de simulações feitas com o uso de modelos bidimensionais adaptados para simuladores tridimensionais, com o objetivo de calibrar o modelo e validar seus resultados. Os resultados obtidos com o uso do modelo proposto possibilitaram a visualização de parâmetros elétricos que não poderiam ser observados com o uso dos modelos bidimensionais convencionais