Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2008 |
| Autor(a) principal: |
Martins, Luiz Gustavo Pereira |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/398
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Resumo: |
Os dispositivos SOI MOS de múltiplas portas estão entre os transistores não planares de melhor desempenho, uma vez que, ao possuir o canal envolvido por mais de uma porta é maior o controle sobre as cargas no interior do canal, minimizando os efeitos causados pela redução das dimensões (escalamento). No processo de fabricação destes dispositivos podem ocorrer variações geométricas que eventualmente influenciam seu funcionamento elétrico. Neste trabalho é apresentado um estudo das características elétricas de dispositivos de portas triplas, não planares, construídos sobre substratos SOI, quando submetidos a variações geométricas de inclinação das paredes laterais e da variação de concentração de dopantes na região ativa. Foi executada uma série de simulações numéricas tridimensionais com o intuito de levantar as curvas características de corrente versus tensão dos dispositivos. A partir das curvas resultantes, foram determinadas as tensões de limiar (VTh), inclinações de sublimiar (S),transcondutâncias (gm) e condutâncias de dreno (gd). Os resultados obtidos mostraram que tanto o ângulo de inclinação das paredes laterais, como a concentração de dopantes no silício influem diretamente no desempenho dos transistores. Além da análise dos parâmetros elétricos obtidos através de simulações numéricas, também é apresentada uma extensão do modelo analítico tradicional de corrente de dreno, aplicável diretamente a transistores de paredes inclinadas. Trata-se de uma expressão fechada da corrente em função do ângulo e da polarização, para a região de saturação. O modelo é verificado comparando-se sua saída com dados de simulação. |
