Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1989 |
Autor(a) principal: |
Angelo, Joseanne Gomes |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-141121/
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Resumo: |
Este trabalho consiste no estudo da neutralização de centros associados a níveis profundos em silício, através da introdução de hidrogênio atômico no sistema. Foi utilizado o modelo de aglomerado molecular com saturação dos orbitais de superfície pela esfera de Watson dentro do formalismo do método do Espalhamento Múltiplo-X. Estudamos inicialmente as impurezas isoladas substitucionais: Si:l=lu, Si:l=lg e Si:Cu, com intuito de observarmos os efeitos causados pela introdução dos hidrogênios atômicos. Os complexos estudados envolvem quatro átomos de hidrogênio situados nos primeiros interstícios tetraédricos ao centro CSi:l=luH,, Si:l=lgH, e Si:CuH,) . Para investigar a passivação, fizemos cálculos auto consistentes para várias configurações atômicas. Em cada configuração os 4 átomos de hidrogênio foram deslocados simetricamente em torno da impureza substitucional. Para cada nova configuração, os sistemas foram também estudados nos estados de carga negativo e positivo, que representamos por CSi:XH,)- e CSi:XH,)o. O modelo microscópico proposto mostrou-se apropriado para explicar os mecanismos da neutralização de defeitos profundos em semicondutores. |