NEUTRALIZACAO DOS NIVEIS DE IMPUREZA DE Cu,Ag E Au EMSILICIO POR HIDROGENIO

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1989
Autor(a) principal: Angelo, Joseanne Gomes
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Dissertação
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-13032017-141121/
Resumo: Este trabalho consiste no estudo da neutralização de centros associados a níveis profundos em silício, através da introdução de hidrogênio atômico no sistema. Foi utilizado o modelo de aglomerado molecular com saturação dos orbitais de superfície pela esfera de Watson dentro do formalismo do método do Espalhamento Múltiplo-X. Estudamos inicialmente as impurezas isoladas substitucionais: Si:l=lu, Si:l=lg e Si:Cu, com intuito de observarmos os efeitos causados pela introdução dos hidrogênios atômicos. Os complexos estudados envolvem quatro átomos de hidrogênio situados nos primeiros interstícios tetraédricos ao centro CSi:l=luH,, Si:l=lgH, e Si:CuH,) . Para investigar a passivação, fizemos cálculos auto consistentes para várias configurações atômicas. Em cada configuração os 4 átomos de hidrogênio foram deslocados simetricamente em torno da impureza substitucional. Para cada nova configuração, os sistemas foram também estudados nos estados de carga negativo e positivo, que representamos por CSi:XH,)- e CSi:XH,)o. O modelo microscópico proposto mostrou-se apropriado para explicar os mecanismos da neutralização de defeitos profundos em semicondutores.