Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1992 |
| Autor(a) principal: |
Muñoz, Walter Manuel Orellana |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
|
| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: |
|
| Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-15032017-135018/
|
Resumo: |
Neste trabalho apresentamos estudos sobre a estrutura eletronica de impurezas isoladas e complexas em germanio as quais sao responsaveis pela introducao de niveis de energia profundos na banda proibida do semicondutor. O modelo utilizado e o do aglomerado molecular, dentro do formalismo autoconsistente do metodo do espalhamento multiplo-\'X IND.ALFA\' com o tratamento dos orbitais de superficie atraves da esfera de watson. Efeitos de polarizacao de spin e de relaxacao eletronica sao incluidos. Aplicamos o metodo para analisar impurezas isoladas de cobre substitucional (\'GE:\'cu ind.S\'); COBRE INTERSTICIAL (\'ge\':\'cu ind.I\') E DE LITIO INTERSTICIAL (\'ge\':\'li ind.I\') E AS IMPUREZAS COMPLEXAS DE COBRE SUBSTITUCIONAL - COBRE INTERSTICIAL (\'ge\':\'cu ind.I\'\'cu ind.S\') E COBRE SUBSTITUCIONAL - LITIO (\'ge\':\'li ind.I\'\'cu ind.S\'). Nossos resultados sao comparados com dados experimentais existentes na literatura |
