Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1988 |
| Autor(a) principal: |
Ceschin, Artemis Marti |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-27032015-145656/
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Resumo: |
Este trabalho apresenta a instalação e operação de um sistema de Epitaxia por feixe molecular (EFM). Para tanto, foi necessário um estudo da literatura existente, a qual serviu também posteriormente para a comparação de alguns resultados obtidos. A condição de ultra-alto-vácuo (UHV) da ordem de 5.10-11mbar necessária para o crescimento de filmes de GaAs por EFM foi alcançada bombeando-se o sistema após a utilização de técnicas de limpeza de aço inox (eletropolimento) e desgasificação. As superfícies dos filmes de GaAs obtidos foram examinadas por microscopia ótica, e revelou a existência de: defeitos ovais, defeitos do tipo agulha, regiões de crescimento policristalino, regiões da superfície ricas em Gae interface substrato-filme. Além disso fizemos medidas da mobilidade Hall e alguns espectros de fotoluminescência. |
