Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1993 |
| Autor(a) principal: |
Nori, Fábio |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012025-082029/
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Resumo: |
Este trabalho estuda as alterações das características elétricas de diodos p-\'NI\'-n de potência, especialmente QRR e VF, quando são sujeitos a um implante de prótons. O enfoque dado ao tratamento do problema é prático, visando o uso dos componentes processados em circuitos de potência, por isto introduz-se um circuito em que é usado um diodo de potência. Desta forma as características elétricas exigidas para este tipo de componente surgem naturalmente. Como o principal parâmetro afetado pelo implante de prótons e o tempo de vida dos portadores na região \'N POT.-\'. É apresentada uma revisão do comportamento de diodos de potência em função do tempo de vida dos portadores, com vistas ao processo utilizado. É feito um estudo crítico dos meios disponíveis para o processamento das amostras, a partir da qual são determinadas algumas características do sistema de irradiação. A partir dos resultados obtidos das amostras irradiadas é criticado o processo com relação a sua adequação a produção de componentes de potência rápidos e, também conclui-se que os resultados obtidos são validos e significativos, aplicáveis a estudos posteriores. |
