Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2001 |
| Autor(a) principal: |
Reis, Ronaldo Willian |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082024-092302/
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Resumo: |
Neste trabalho foram construídos contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' sobre junções rasas \'n POT. +\'p com 0,5 \'MICROMETROS\' de profundidade. O desempenho elétrico final obtido foi considerado excelente com corrente reversa de aproximadamente 15 nA/cm2 e a resistência de contato de 7,3.\'10 POT. -8\' \'OHM\'cm2 (áreas de (200 x 200) \'MICROMETROS\'). O processo térmico (T = 900 \'GRAUS\'C e t = 75 min) para obtenção das junções \'n POT. +\'p com profundidade de 0,5 \'MICROMETROS\' foi simulado com o programa SUPREM III. Para fabricar contatos Al/Ni/Ti\'Si IND. 2\' de boa qualidade, foram feitas caracterizações prévias dos filmes Ti\'Si IND. 2\' formados em duas etapas (700\'GRAUS\'C e 900\'GRAUS\'C) em ambiente de nitrogênio. De forma geral, os filmes de Ti\'Si IND. 2\'-C54 resultaram com baixas rugosidades (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm) e baixos valores de resistividade (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm). Por outro lado, filmes de Ni foram depositados por processo eletroquímico espontâneo sobre filmes Ti\'Si IND. 2\'-C54 previamente ativados em solução de paládio (\'H IND. 2\'O/HF/Pd\'Cl IND. 2\'). Os filmes de níquel depositados sobre Ti\'Si IND. 2\'-C54 apresentaram um pequeno aumento da rugosidade superficial (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 15 nm) em comparação com a superfície do siliceto de titânio (RRMS \'APROXIMADAMENTE\' 12 nm). Tal fato foi explicado como devido principalmente ao processo de pré-ativação que cria sítios sobre o siliceto antes da deposição do níquel. Os filmes de níquel obtidos resultaram do tipo Ni(P) com concentração de fósforo de aproximadamente 5% e resistência de folha de \'APROXIMADAMENTE\' 0,5 \'OHM\'\'POR QUADRADO\' para espessuras de 300 nm (p \'APROXIMADAMENTE\' 15 \'MICROM\'\'OHM\'cm). |
