Amplificadores de potência em microondas com alta eficiência.

• Ano de defesa: 1998
• Autor(a) principal: Verri, Antonio Sandro
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Amplificadores; Amplifiers; MESFET Modeling; Microondas; Microwaves; Modelamento de MESFET
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-150314/

O tema central desta dissertação são os amplificadores de microondas de potência com alta eficiência empregando transístores MESFET. São apresentados o estado atual da arte e os fundamentos teóricos referentes a amplificadores classes A, B, AB eF em freqüências de microondas. São propostas equações gerais para o projeto e estimativa de desempenho de amplificadores de microondas de potência em função do ângulo de condução do transistor. Propõem-se um procedimento de projeto de amplificadores de microondas de potência com alta eficiência empregando análise não-linear e técnica de terminações harmônicas. Discute-se as limitações dos modelos de MESFET disponíveis em simuladores de circuitos de microondas na simulação de amplificadores classes AB, B e F, aprimorando-se o modelo para obtenção de maior precisão e convergência na simulação de amplificadores com elevados níveis de não-linearidade. Apresenta-se a aplicação da técnica proposta ao projeto de amplificadores classes A, AB e F, operando em 2 GHz e empregando o transistor FLC091WF. Descreve-se a construção dos protótipos dos amplificadores em tecnologia de circuitos integrados híbridos de microondas, bem como os procedimentos de caracterização dos mesmos em pequenos e grandes sinais, obtendo-se eficiência de potência adicionada máxima de 36,7% para o amplificador classe A, 59,8% para o amplificador classe AB e 63% para oamplificador classe F. Compara-se as características medidas dos amplificadores com as previstas através de simulações computacionais, demonstrando-se a validade da técnica de projeto utilizada. Realiza-se uma comparação do desempenho experimental dos amplificadores projetados, discutindo-se o compromisso entre ganho, potência de saída, eficiência de potência adicionada e linearidade em amplificadores classes A, AB e F.