Amplificadores distribuídos de microondas.

• Ano de defesa: 1998
• Autor(a) principal: Melo, Cristiane Ferreira de Araujo
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Amplificadores distribuídos; Circuito integrado monolítico de microondas; Distributed Amplifiers; Monolithic microwave integrated circuit
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08102024-152952/

O tema central desta dissertação de mestrado são os amplificadores distribuídos de microondas a MESFET, utilizados para obtenção de ganho plano em banda ultralarga. Apresenta-se o princípio de funcionamento desse tipo de amplificador, discutindo-se as equações analíticas de projeto proposta para o mesmo e as limitações associadas a essas equações, deduzidas a partir de modelos simplificados do MESFET. Propõem-se um procedimento de projeto que emprega equações analíticas disponíveis na literatura para calcular os valores iniciais dos elementos do circuito e otimização computacional para se obter ganho plano sobre banda ultra-larga. Aplica-se a técnica proposta ao projeto de um amplificador distribuído, construído por tecnologia de circuito integrado monolítico de microondas, em \"foundry\" de GaAs. Discute-se o efeito dos parasitas de leiaute sobre o desempenho do amplificador em banda ultra-larga e a compensação dos mesmos durante as etapas de otimização do circuito projetado. Comenta-se as principais características do processo de construção do amplificador, realizado na GEC-Marconi, na Inglaterra. Apresenta-se os procedimentos de caracterização \"on wafer\" do amplificador distribuído na faixa de 100 MHz a 20 GHz, discutindo-se cuidados requeridos para realização das medidas de ganho e perda de retorno de entrada e de saída do \"chip\" com precisão. O amplificador apresentou ganho de potencia de 6,9 +/- 1 dB nafaixa de 800 MHz a 17,35 GHz, associado a perda de retorno de entrada menor que -12,7 dB e a perda de retorno de entrada e de saída abaixo de -10 dB, demonstrando boa planicidade de ganho em faixa ultra-larga, associado a coeficiente de reflexão reduzido, com desempenho pioneiro a nível nacional e comparável a resultados obtidos internacionalmente quando se utiliza tecnologia MMIC com MESFETs de 0,5 \'mü\'m. Verificou-se boa concordância ) entre as características medidas e simuladas do amplificador distribuído, demostrando-se que as pequenas diferenças de desempenho observadas estão associadas a variações inerentes ao processo de fabricação de circuitos integrados monolíticos de microondas.