Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1994 |
| Autor(a) principal: |
Salcedo, Walter Jaimes |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052024-070606/
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Resumo: |
O objetivo deste trabalho é contribuir com o desenvolvimento de uma tecnologia para o silício poroso que permita sua utilização na fabricação de sensores químicos e dispositivos optoeletrônicos. Apresenta-se uma revisão do estado da arte do modelamento e tecnologia do silício poroso, discutindo o carater polêmico de seus resultados. É apresentado um processo experimental para a obtenção de camadas de silício poroso e sua caracterização estrutural. Propondo-se um modelo analítico para determinar a estrutura da camada de silício poroso, utilizando os resultados da caracterização por espectroscopia infra-vermelho. Foram fabricados dispositivos utilizando camadas de silício poroso e testadas sob diferentes condições de temperatura e umidade. Analizando o comportamento elétrico destes dispositivos é proposto um modelo para o transporte de portadores de carga elétrica pela camada de silício poroso. |
