Propriedades elétricas de películas finas de ligas de silício microcristalino hidrogenadas depositadas a baixas temperaturas.

• Ano de defesa: 2002
• Autor(a) principal: Nardes, Alexandre Mantovani
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Baixa temperatura; Filmes finos (Propriedades elétricas); Low temperature; Thin films (Electrical properties)
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11092024-150622/

Películas finas de silício microcristalino hidrogenado tipo-n, depositadas por processo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), têm recebido muita atenção devido à sua alta condutividade elétrica mesmo quando depositadas em moderadas e baixas temperaturas de deposição. A possibilidade de se obter esse material em grandes áreas e a baixo custo, utilizando substratos poliméricos, para aplicações como células solares, sensores de luz, telas planas de matriz ativa, etc, está próximo de se tornar comercialmente viável. Neste trabalho, amostras de Si-\'MICROM\'c:H dopadas com fósforo foram depositadas por processo PECVD em uma faixa de temperatura desde \'70 GRAUS\'C até \'250 GRAUS\'C. Considerando a condutividade elétrica das películas, as melhores amostras foram aquelas depositadas entre \'120 GRAUS\'C e \'160 GRAUS\'C, que resultaram em condutividades entre 2,9 e 6,4 S/cm. Estes valores são superiores até mesmo aos obtidos para amostras depositadas em temperaturas superiores (condutividade de 2,5 S/cm para a amostra depositada em 250 \'GRAUS\'C). Para este estudo, foram utilizadas diferentes técnicas de caracterização estrutural como espectroscopia Raman, espectroscopia no infravermelho, profilometria, elipsometria e caracterização superficial através de microscopia de força atômica (AFM). As caracterizações elétricas envolveram medidas de efeito Hall, condutividade em corrente contínua e espectroscopia de impedância (EI). Esta última mostrou ser bastante promissora na caracterização de materiais semicondutores.