Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
1992 |
| Autor(a) principal: |
Martinez, Aldo Orlando Bravo |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07012025-145018/
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Resumo: |
Neste trabalho apresentamos uma análise das não idealidades que existem nos circuitos a capacitores chaveados (SCC), propondo algumas técnicas para minimizá-las. Utilizando uma tecnologia CMOS digital com um único nível de polisilício, estudamos o comportamento linear do capacitor MOS polarizado em acumulação. Os resultados obtidos foram aplicados ao projeto de amplificadores operacionais, para implementar um filtro de segunda ordem. São apresentadas duas versões: uma projetada com amplificadores a transcondutância como elementos ativos e outra com amplificadores completamente diferenciais visando uma melhora na faixa dinâmica e velocidade. |
