Oxidação térmica rápida do silício: influência dos procedimentos de limpeza e dos perfis temporais de temperatura na qualidade dos óxidos de porta MOS.

• Ano de defesa: 1996
• Autor(a) principal: Santos Filho, Sebastião Gomes dos
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Oxidação; Oxidation
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19112024-121813/

Neste trabalho obtivemos óxidos de porta de alta qualidade crescidos por oxidação térmica rápida (RTO: Rapid Thermal Oxidation). Diversos tópicos foram abordados tendo em vista alcançar o critério de alta qualidade, ou seja, baixas concentrações de contaminação por cargas elétricas e alto campo de ruptura da rigidez dielétrica (13mv/cm) para os óxidos crescidos. Em primeiro lugar foi estudada a influência de diversos procedimentos de limpeza química pré-oxidação nas concentrações superficiais de metais e partículas em lâminas de silício. Em segundo lugar, como resultado do estudo destes procedimentos de limpeza pré-oxidação, elaboramos um modelo eletroquímico alternativo, útil na previsão de contaminação em superfícies de lâminas de silício durante a imersão rápida em solução d-hf contaminada com diferentes sulfatos metálicos. Em terceiro lugar, investigamos a uniformidade, a reprodutibilidade e a cinética dos óxidos crescidos por oxidação térmica rápida. Finalmente, analisamos a influência de diferentes receitas de oxidação térmica rápida (perfis temporais de temperatura) na rugosidade da interface \'Si\'-\'Si\'\'O IND.2\' e da superfície dos óxidos e também nas características elétricas destes óxidos obtidos.