| Resumo: |
Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da resistência série de fonte e dreno em transistores SOI FinFET de porta tripla e com canal tensionado. Nos dispositivos SOI FinFETs há um aumento da resistência série de fonte e dreno devido ao estreitamento dessas regiões, sendo esse parâmetro considerado como uma das limitações quanto à introdução desses dispositivos em tecnologias futuras. O uso de tensão mecânica no canal dos dispositivos surge como alternativa para aumentar a condução de corrente através do aumento da mobilidade dos portadores do canal, reduzindo assim, a resistência total dos transistores e, conseqüentemente, a resistência série de fonte e dreno. Inicialmente, foi feito o estudo de alguns métodos de extração da resistência série de fonte e dreno existentes na literatura, com o objetivo de se obter o mais adequado para aplicação e análise posterior. Esse trabalho foi realizado baseado em resultados experimentais e em simulações numéricas que possibilitaram o entendimento físico do fenômeno estudado. A resistência série de fonte e dreno foi explorada em diferentes tecnologias, como transistores SOI FinFETs de porta tripla convencionais e sob influência de tensionamento uniaxial e biaxial. O uso do crescimento seletivo epitaxial (SEG) nas regiões de fonte e dreno altamente dopadas das diferentes tecnologias também foi analisado, pois com essa técnica, a resistência série de fonte e dreno é reduzida substancialmente não comprometendo a condução de corrente e a transcondutância. Os resultados obtidos das diferentes tecnologias com e sem o uso de SEG foram analisados e comparados mostrando que em transistores SOI FinFETs de porta tripla, com crescimento seletivo epitaxial, apresentam o menor valor da resistência série de fonte e dreno mesmo para aqueles sem tensão mecânica na região do canal. |
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