O efeito raman ressonante e sua relação com transições eletrônicas em alguns complexos de metais de transição

Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: 1978
Autor(a) principal: Santos, Paulo Sergio
Orientador(a): Não Informado pela instituição
Banca de defesa: Não Informado pela instituição
Tipo de documento: Tese
Tipo de acesso: Acesso aberto
Idioma: por
Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Programa de Pós-Graduação: Não Informado pela instituição
Departamento: Não Informado pela instituição
País: Não Informado pela instituição
Palavras-chave em Português:
Link de acesso: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46132/tde-22082014-142246/
Resumo: O efeito Raman ressonante do complexo (NH4)4Mo2Cl8.NH4Cl.H2O, contendo o íon Mo2Cl84-, foi estudado tanto na temperatura ambiente como na de nitrogênio líquido. Com base nos resultados obtidos mostra-se que a explicação previamente oferecida por outros autores para o aparecimento de ressonância com excitação em 568,2 nm não é correta. É sugerida uma explicação diferente para este comportamento baseada nos espectros Raman e de absorção. A transferência de elétron fotoestimulada no íon complexo (NH3)5RuII-pz-CuII foi comprovada através do estudo do efeito Raman ressonante. Com base nos espectros Raman obtidos em condições de ressonância e também nas medidas de polarização, o estado eletrônico excitado envolvido foi caraterizado. Os perfis de excitação para v1 e 2vl do íon RuO42- em solução aquosa foram obtidos usando diversas radiações excitantes. Os perfis mostraram uma desintensificação das intensidades Raman pré-ressonantes na região da transição interna do íon. O efeito foi interpretado usando o tratamento proposto por Stein e col. para o efeito Raman anti-ressonante.