Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2001 |
Autor(a) principal: |
Ruas, Ronaldo |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27092024-081301/
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Resumo: |
Neste trabalho fizemos um estudo sobre a influência do material de eletrodo em plasma de S\'F IND. 6\' e de argônio nos processos de corrosão de silício por plasma, utilizando como material de eletrodo estanho, cobre, alumínio e níquel. A técnica de espectroscopia de emissão mostrou que em plasma de argônio há grande variação nas intensidades dos espectros em função do material de eletrodo. O principal motivo para esta variação é uma alteração na distribuição de elétrons do plasma provocada pela ejeção de elétrons secundários do material de eletrodo. Esta alteração ocorre tanto na densidade quanto na energia dos elétrons, afetando os processos de excitação e ionização. Estas alterações foram também observadas com a técnica de sonda em plasma de argônio. Estas técnicas indicam que há uma variação elétrica e física no plasma que também afeta o processo de corrosão. No processo de corrosão de silício com S\'F IND. 6\' há variação na taxa de corrosão, rugosidade e perfil em função do eletrodo. O eletrodo de estanho apresentou maior taxa de corrosão seguido do eletrodo de alumínio (12% menor), níquel (27% menor) e cobre (40% menor). A rugosidade induzida foi maior para o eletrodo de níquel seguido do eletrodo de estanho, alumínio e cobre. O eletrodo de cobre foi o que apresentou maior anisotropia seguido do alumínio, estanho e níquel. Todas essas variações apresentadas no processo de corrosão devem as variações na ejeção de elétrons secundários e nas reações entre o gás de processo e o material de eletrodo onde se pode ter liberação ou consumo de flúor no sistema resultando em grandes alterações no plasma em função do material de eletrodo. |