Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
1983 |
Autor(a) principal: |
Crestana, Silvio |
Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
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Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Link de acesso: |
http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54131/tde-25052015-161924/
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Resumo: |
Do estudo da emissão espontânea para um plano de átomos excitados, descritos pelo modelo do átomo de dois níveis, na transição Δ 1= 1, Δm= 1 e usando-se a aproximação semiclássica da radiação - ambos discutidos no texto - faz-se algumas generalizações. Investiga-se a taxa de radiação de um plano infinito de átomos excitados, na transição de Δ 1=0, Δm=0. Constata-se um limite divisório de soluções regulado pelo acoplamento campo-matéria. Simula-se o efeito do tamanho do emissor (até então de espessura desprezível), usando-se dois planos infinitos de átomos paralelos, separados por uma distância finita. Estabelece-se o conjunto de equações auto-consistentes da interação da energia radiante com a matéria, no caso geral, quando Δ 1= 1, Δm=1. Discutem-se ainda duas situações extremas: a)Os planos coincidem e b)estão infinitamente afastados. Quando o acoplamento campo-matéria é fraco, investiga-se, em alguns casos, com auxílio de computação, a influência da separação dos planos, da diferença de fase dos dipolos elétricos e das energias iniciais de cada plano no comportamento da emissão. |