Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET.

• Ano de defesa: 2000
• Autor(a) principal: Pavanello, Marcelo Antonio
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
• Palavras-chave em Português: Caracterização elétrica; Electrical characterization; Manufacturing process; Processo de fabricação; SOI transistors; Transistores SOI
• Link de acesso: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21102024-093642/

Apresentamos neste trabalho o projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET, desenvolvida com o intuito de minimizar os efeitos bipolares parasitários que afetam os transistores SOI totalmente depletadosconvencionais. O projeto da nova estrutura proposta é realizado com base na física que descreve a ocorrência destes efeitos parasitas e com o auxílio de simuladores numéricos bidimensionais de dispositivos, resultando em um transistor com perfilassimétrico de dopantes na região de canal. O processo de fabricação dos novos transistores é desenvolvido mantendo a total compatibilidade com o processo normalmente utilizado para fabricar transistores SOI convencionais. Obtivemos umtransistor que apresenta significativas melhoras na tensão de ruptura e na variação da tensão de limiar, decorrentes do elevado campo elétrico na região de dreno, além aumentar a transcondutância e reduzir a condutância de saída do dispositivo,se comparado aos transistores SOI MOSFET convencionais. O desempenho do novo transistor proposto para aplicações em circuitos analógicos é também estudado, apresentando seu grande potencial para obtenção de amplificadores com elevado ganho ereduzida potência consumida.