Radiation robustness of XOR and majority voter circuits at finFET technology under variability

• Ano de defesa: 2017
• Autor(a) principal: Aguiar, Ygor Quadros de
• Orientador(a): Reis, Ricardo Augusto da Luz
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: eng
• Palavras-chave em Português: Microeletrônica; Circuitos digitais
• Palavras-chave em Inglês: Microelectronics; FinFET; Variability; Radiation Effects; Fault Tolerance
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/169107

Os avanços na microeletrônica contribuíram para a redução de tamanho do nó tecnológico, diminuindo a tensão de limiar e aumentando a freqüência de operação dos sistemas. Embora tenha resultado em ganhos positivos relacionados ao desempenho e ao consumo de energia dos circuitos VLSI, a miniaturização também tem um impacto negativo em termos de confiabilidade dos projetos. À medida que a tecnologia diminui, os circuitos estão se tornando mais suscetíveis a inúmeros efeitos devido à redução da robustez ao ruído externo, bem como ao aumento do grau de incerteza relacionado às muitas fontes de variabilidade. As técnicas de tolerancia a falhas geralmente são usadas para melhorar a robustez das aplicações de segurança crítica. No entanto, as implicações da redução da tecnologia interferem na eficácia de tais abordagem em fornecer a cobertura de falhas desejada. Por esse motivo, este trabalho avaliou a robustez aos efeitos de radiação de diferentes circuitos projetados na tecnologia FinFET sob efeitos de variabilidade. Para determinar as melhores opções de projeto para implementar técnicas de tolerancia a falhas, como os esquemas de Redundância de módulo triplo (TMR) e/ou duplicação com comparação (DWC), o conjunto de circuitos analisados é composto por dez diferentes topologias de porta lógica OR-exclusivo (XOR) e dois circuitos votadores maioritários (MJV). Para investigar o efeito da configuração do gate dos dispositivos FinFET, os circuitos XOR são analisados usando a configuração de double-gate (DG FinFET) e tri-gate (TG FinFET). A variabilidade ambiental, como variabilidade de temperatura e tensão, são avaliadas no conjunto de circuitos analisados. Além disso, o efeito da variabilidade de processo Work-Function Fluctuation (WFF) também é avaliado. A fim de fornecer um estudo mais preciso, o projeto do leiaute dos circuitos MJV usando 7nm FinFET PDK é avaliado pela ferramenta preditiva MUSCA SEP3 para estimar o Soft-Error Rate (SER) dos circuitos considerando as características do leiaute e as camadas de Back-End-Of-Line (BEOL) e Front-End-Of-Line (FEOL) de um nó tecnológico avançado.