Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2019 |
Autor(a) principal: |
Leite, Gabriel Volkweis |
Orientador(a): |
Boudinov, Henri Ivanov |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Tese
|
Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
|
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
País: |
Não Informado pela instituição
|
Palavras-chave em Português: |
|
Palavras-chave em Inglês: |
|
Link de acesso: |
http://hdl.handle.net/10183/196430
|
Resumo: |
Neste trabalho, desenvolveu-se a tecnologia de fabricação de transistores orgânicos de efeito de campo utilizando-se as técnicas de fotolitografia e plasma de oxigênio. Foram produzidos transistores com boas características: alta reprodutibilidade, ótima estabilidade ambiental, altas mobilidades, altas correntes, baixas tensões de operação e baixas resistências de contato, se comparados com os obtidos na literatura. Observou-se a degradação devido ao transporte de cargas. Quanto mais cargas atravessam o canal do transistor, maior é a degradação. Foi mostrado que esta degradação é dependente do grau de regiorregularidade. Quanto maior é a regiorregularidade, menor é a degradação. Mostramos que os contatos de fonte e dreno podem ser compostos por Ni, sendo este uma excelente alternativa ao metal mais utilizado, o Au. Medimos a resistência de contato na fonte e no dreno utilizando o Ni e encontramos valores que estão próximos aos melhores reportados na literatura. Obtivemos valores de mobilidade independentes da resistência de contato, mostrando que ambas variam de acordo com o efeito de campo. Fabricamos transistores com Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) sem defeitos de regiorregularidade, obtendo transistores com mais altas correntes, devido ao aumento da cristalinidade dos filmes e da melhora da estabilidade de operação dos dispositivos. |