Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo

• Ano de defesa: 2019
• Autor(a) principal: Leite, Gabriel Volkweis
• Orientador(a): Boudinov, Henri Ivanov
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Transistores de efeito de campo; Fotolitografia; Eletrônica orgânica
• Palavras-chave em Inglês: OFET; Contact Resistance; Operational Stability; Plasma Etching; Photolithography; P3HT
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/196430

Neste trabalho, desenvolveu-se a tecnologia de fabricação de transistores orgânicos de efeito de campo utilizando-se as técnicas de fotolitografia e plasma de oxigênio. Foram produzidos transistores com boas características: alta reprodutibilidade, ótima estabilidade ambiental, altas mobilidades, altas correntes, baixas tensões de operação e baixas resistências de contato, se comparados com os obtidos na literatura. Observou-se a degradação devido ao transporte de cargas. Quanto mais cargas atravessam o canal do transistor, maior é a degradação. Foi mostrado que esta degradação é dependente do grau de regiorregularidade. Quanto maior é a regiorregularidade, menor é a degradação. Mostramos que os contatos de fonte e dreno podem ser compostos por Ni, sendo este uma excelente alternativa ao metal mais utilizado, o Au. Medimos a resistência de contato na fonte e no dreno utilizando o Ni e encontramos valores que estão próximos aos melhores reportados na literatura. Obtivemos valores de mobilidade independentes da resistência de contato, mostrando que ambas variam de acordo com o efeito de campo. Fabricamos transistores com Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) sem defeitos de regiorregularidade, obtendo transistores com mais altas correntes, devido ao aumento da cristalinidade dos filmes e da melhora da estabilidade de operação dos dispositivos.