CMOS RFIC amplifiers design for wideband sub-3 GHz and 28-30 GHz millimeter wave applications

• Ano de defesa: 2017
• Autor(a) principal: Costa, Arthur Liraneto Torres
• Orientador(a): Bampi, Sergio
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: eng
• Palavras-chave em Português: Microeletrônica; Cmos
• Palavras-chave em Inglês: Radio frequency; Integrated Circuit; Wideband; LNA; Bi-directional
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/217028

Esta tese apresenta duas opções de hardware para ajudar a resolver o problema de satura- ção de espectro nas comunicações sem fio de 2014 até 2018. Ambas opções requerem a operação do “front-end” de Circuitos Integrados de Rádio Frequência (RFIC em inglês) em bandas largas de frequência. O ambiente de projeto para esta tese é o RFIC e vá- rios amplificadores foram desenvolvidos para serem utilizados em soluções de front-end RFIC. A primeira parte desta tese usa o conceito de radio cognitivo banda larga e vai para frequências tão baixas quanto dezenas de MHz até 3 GHz, onde parte da banda abaixo de 1 GHz foi historicamente utilizada para a transmissão de TV analógica que agora está sendo liberada por causa do seu desligamento e o surgimento da TV digital. A segunda parte move a banda de frequências do amplificador para frequências de ondas milimétri- cas, começando em 28 GHz até 30 GHz, e tira vantagem da larga banda para acomodar mais usuários e também se beneficiar de altas velocidades. Além disso, como a expecta- tiva de que a 5 a geração de telecomunicações opere utilizando conceitos de Internet das Coisas (IoT em inglês), este amplificador foi projetado para ser bi-direcional, o que pode ser utilizado para aplicações de repetidores sem fio para IoT em ambientes fechados. Os amplificadores projetados para a banda abaixo de 3 GHz focaram em ser de baixo ruído, o que os torna parte da categoria de Amplificadores de Baixo Ruído (LNA em inglês), e tendo um parâmetro adicional otimizado como linearidade, dissipação de po- tência, tensão de alimentação ou incluir proteção ESD. Todos os LNAs são banda larga, sem indutores, entregam conversão simples para diferencial, e eles foram projetados uti- lizando tecnologia 130 nm CMOS de duas fábricas diferentes. A banda abaixo de 1 GHz, dentro da faixa de 3 GHz, está de acordo com a banda do padrão IEEE 802.22 para apli- cações de rádio banda larga. Considerando resultados de simulações pós-layout, a tensão de alimentação mais baixa utilizada para um dos LNAs foi 450 mV, dissipando somente 2 mW de potência, a menor figura de ruído para outro LNA desenvolvido foi 2 dB e o maior IIP3 foi +10.8 dBm para o que focou em linearidade. A banda mais larga atingida foi de 2 décadas em um LNA de 15 MHz até 1.5 GHz, incluindo proteção ESD para as portas de I/O. O LNA de mais alta linearidade foi medido e os resultados apresentaram boa conformidade com as simulações. Uma metodologia de projeto sistemática geral para o projeto de um LNA com topologia de cancelamento de ruído focando em otimizar um parâmetro específico de performance (banda, figura de ruído, IIP3, dissipação de potência, etc) foi desenvolvido. No total, 6 topologias de LNA banda larga foram desenvolvidas para exemplificar a metodologia. O amplificador RFIC projetado para a banda de 28-30 GHz focou em ser bi-direcional, o que o torna promissor para aplicações como repetidores sem fio para sistemas 5G. Este am- plificador foi projetado utilizando tecnologia CMOS 130 nm diferente dos outros LNAs projetados nesta tese e ele é composto de dois quasi-circuladores ativos contendo um to- tal de 8 transformadores para ondas milimétricas em uma área de chip de apenas 1 mm 2 . Uma nova topologia para um quasi-circulador ativo foi proposta e ela foi utilizada como bloco básico para o amplificador bi-direcional (BDA em inglês). Os resultados de parâ- metros S na simulação pós-layout do chip inteiro foi de S 11 = S 22 < -11 dB, S 21 = S 12 = 5-6 dB.