Amplificador de saída de RF CMOS Classe-E com controle de potência para uso em 2,2 GHz

• Ano de defesa: 2016
• Autor(a) principal: Santana, Diogo Batista
• Orientador(a): Klimach, Hamilton Duarte
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Palavras-chave em Português: Microeletrônica; Cmos
• Palavras-chave em Inglês: RF CMOS design; Class-E; Wireless communications; Switching amplifier
• Link de acesso: http://hdl.handle.net/10183/144315

É apresentado um amplificador de potência (PA) com controle digital da potência de saída, operando na banda S de frequência (2,2 GHz). Este PA utiliza um transformador de entrada para reduzir as flutuações dos sinais de terra. Um estágio de excitação oferece uma impedância apropriada para a fonte de entrada e ganho para o próximo estágio. O estágio de controle é usado para melhorar a eficiência do PA, composto por quatro ramos paralelos de chaves, onde os estados (ligado ou desligado) são separadamente ativados por uma palavra de controle de 4 bits. O estágio de saída implementa um amplificador classe E, usando uma topologia cascode para minimizar o estresse de tensão sobre os transistores, permitindo sua utilização sob tensão de alimentação de 3,3 V para se atingir uma potência de saída máxima em torno de 1 W, em um processo CMOS 130 nm, cuja tensão típica de alimentação é 1,2 V. O PA proposto foi projetado em uma tecnologia CMOS 130 nm para RF, ocupa uma área de 1,900 x 0,875 mm2 e os resultados das simulações em leiaute extraído obtidos demonstram uma potência de saída máxima de 28,5 dBm (707 mW), com PAE (Power- Added Efficiency) correspondente de 49,7%, para uma tensão de alimentação de 3,3 V. O controle de 4 bits permite um ajuste dentro da faixa dinâmica da potência de saída entre 13,6 a 28,5 dBm (22,9 a 707 mW), divididos em 15 passos, com o PAE variando de 9,1% a 49,7%. O PA proposto permite redução do consumo de potência quando este não está transmitindo na potência máxima. A potência consumida atinge um mínimo de 0,21Wquando a potência de saída é de 13,6 dBm (22,9 mW) e um máximo de 1,4 W quando a potência de saída é de 28,5 dBm (707 mW), o que representa 1,19 W de economia, aumentando a vida da bateria. A linearidade obtida neste circuito mostrou-se suficiente para atender os requisitos da máscara de emissão de espúrios de um padrão de comunicação com envoltória constante largamente utilizado, apresentando desempenho adequado para atender as especificações dos sistemas de comunicações modernos.