Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2020 |
| Autor(a) principal: |
Reis, Saulo Portes dos |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Tese
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://hdl.handle.net/11449/191924
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Resumo: |
Este trabalho relata o impacto de defeitos nas propriedades elétricas de filmes finos de \BF, com diferentes defeitos introduzidos durante a síntese. As fases secundárias e as vacâncias de oxigênio foram os defeitos mais aparentes em comparação aos filmes monofásicos. As propriedades estruturais foram analisadas por difração de raios X, espectroscopia Raman, microscopia de piezo-resposta (PFM) e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios-X (XPS). As propriedades elétricas dos filmes foram estudadas em termos de relaxação dielétrica, condutividade elétrica e condutividade local através de grãos e contornos de grãos. Para fazer isso, foi feita uma descrição completa do formalismo da impedância. No processo termicamente ativado, as energias de ativação da relaxação e condução dielétrica foram muito semelhantes para os filmes com fases secundárias. Por outro lado, a energia de ativação da condução aumenta para o filme monofásico tratado em atmosfera de oxigênio. Essas energias de ativação foram atribuídas às primeira e segunda ionização de vacâncias de oxigênio. O controle de defeitos durante a síntese dos filmes mostrou-se útil para controlar a condutividade elétrica e outros parâmetros relacionados aos filmes finos de BiFeO3. |
