Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2008 |
| Autor(a) principal: |
Pereira, Andre Luis de Jesus [UNESP] |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Estadual Paulista (Unesp)
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://hdl.handle.net/11449/88472
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Resumo: |
Atualmente a incorporação de Mn ao GaAs apresenta interesse destacado pela demonstrada capacidade do Mn em produzir buracos livres e ferromagnetismo nos compostos 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' (0,00 < x '< OU =' 0,05) . Acredita-se que nestes materiais os buracos associados à presença de sítios Mn+2 são também intermediários da interação ferromagnética entre os íons de Mn da rede, tornando o 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' um candidato interessante para a produção de dispositivos com efetivo controle de spin (spintrônica). Atualmente, a produção de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' ferromagnético é em sua maioria feita através da técnica de MBE. Neste trabalho foram produzidos e analisados filmes nanocristalinos de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' com diferentes concentrações de Mn (0,000 ≤ x ≤ 0,081) obtidos através da técnica de RF magnetron sputtering. O Mn foi incorporado aos filmes através de co-sputtering de um alvo de GaAs monocristalino recoberto por pequenas lâminas de Mn, em atmosfera de Ar ou Ar+'H IND. 2'. Foram investigados em detalhe os efeitos de diferentes concentrações de Mn sobre as propriedades estruturais e ópticas dos filmes de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' preparados por sputtering. A caracterização estrutural foi realizada basicamente através de medidas de difração de raios-X e a caracterização óptica através de medidas de transmitância na região compreendida entre o ultravioleta (2,0 eV) e o infravermelho próximo (0,5 eV). Também foram realizadas medidas de transmitância no infravermelho (0,05 a 0,50 eV) com o intuito de analisar a influência do Mn e do H nas propriedades vibracionais dos filmes. Os resultados revelam que os filmes analisados são paramagnéticos e que suas propriedades são fortemente influenciadas pela hidrogenação. Os filmes hidrogenados apresentam uma expansão aproximadamente... |
