Efeitos estruturais e ópticos da incorporação de Mn em filmes nanocristalinos de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' preparados por sputtering - Pereira, Andre Luis de Jesus [UNESP] (2008)
Atualmente a incorporação de Mn ao GaAs apresenta interesse destacado pela demonstrada capacidade do Mn em produzir buracos livres e ferromagnetismo nos compostos 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' (0,00 < x '< OU =' 0,05) . Acredita-se que nestes materiais os buracos associados à presença de sítios Mn+2 são também intermediários da interação ferromagnética entre os íons de Mn da rede, tornando o 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' um candidato interessante para a produção de dispositivos com efetivo controle de spin (spintrônica). Atualmente, a produção de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' ferromagnético é em sua maioria feita através da técnica de MBE. Neste trabalho foram produzidos e analisados filmes nanocristalinos de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' com diferentes concentrações de Mn (0,000 ≤ x ≤ 0,081) obtidos através da técnica de RF magnetron sputtering. O Mn foi incorporado aos filmes através de co-sputtering de um alvo de GaAs monocristalino recoberto por pequenas lâminas de Mn, em atmosfera de Ar ou Ar+'H IND. 2'. Foram investigados em detalhe os efeitos de diferentes concentrações de Mn sobre as propriedades estruturais e ópticas dos filmes de 'Ga IND. 1-x Mn IND. xAs' preparados por sputtering. A caracterização estrutural foi realizada basicamente através de medidas de difração de raios-X e a caracterização óptica através de medidas de transmitância na região compreendida entre o ultravioleta (2,0 eV) e o infravermelho próximo (0,5 eV). Também foram realizadas medidas de transmitância no infravermelho (0,05 a 0,50 eV) com o intuito de analisar a influência do Mn e do H nas propriedades vibracionais dos filmes. Os resultados revelam que os filmes analisados são paramagnéticos e que suas propriedades são fortemente influenciadas pela hidrogenação. Os filmes hidrogenados apresentam uma expansão aproximadamente...