Formação de filmes finos de oxinitreto de silicio (SiOxNy) por implantação de ions de nitrogenio (N2+) e de oxido nitrico (NO+)
| Ano de defesa: | 1996 |
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| Autor(a) principal: | |
| Orientador(a): | |
| Banca de defesa: | |
| Tipo de documento: | Tese |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
[s.n.]
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | https://hdl.handle.net/20.500.12733/1584381 |
Resumo: | Orientador: Peter Jurgen Tatsch |