Mapas do espaço recíproco de filmes finos de CdTe/Si O efeito da temperatura de crescimento e espessura

• Ano de defesa: 2012
• Autor(a) principal: Oliveira, Joelma de
• Tipo de documento: Tese
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Viçosa; BR; Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.; Doutorado em Física; UFV
• Palavras-chave em Português: Mapas do espaço recíproco; Telureto de cádmio; Silício; Filmes finos; Maps of reciprocal space; Cadmium telluride; Silicon; Thin films; CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA
• Link de acesso: http://locus.ufv.br/handle/123456789/959

Filmes finos de telureto de cádmio (CdTe) vêm sendo investigados por vários anos por possuírem propriedades semicondutoras apropriadas para muitas aplicações, a exemplo da fabricação de dispositivos optoeletrônicos como sensores de radiação eletromagnética. Embora muito importante tecnologicamente, o crescimento de CdTe/Si(111) é um grande desafio em razão, principalmente, da grande diferença de parâmetro de rede entre eles (19%, aproximadamente). Considerando a importância dos filmes de CdTe, este trabalho teve como objetivo investigar a qualidade desses filmes crescidos sobre substratos de silício (Si) com orientação (111) passivados com hidrogênio. Nesta investigação, foi analisado o efeito da temperatura de crescimento e da espessura na qualidade estrutural dos filmes. As amostras foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular e caracterizadas pelas técnicas de microscopia de força atômica, difração de raios X e microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução. As imagens por microscopia de força atômica evidenciaram que o aumento da temperatura do substrato e da espessura dos filmes ocasiona incremento na rugosidade da superfície das amostras. Mapas do espaço recíproco em torno das reflexões (222) e (113) mostram picos associados a defeitos estruturais. A densidade de defeitos aumenta com a espessura, mas diminui quando a temperatura de crescimento é aumentada. As imagens por microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução mostram que os defeitos mais comuns, independente da temperatura de crescimento, foram o twin e o duplo twin. Os resultados obtidos mostram que, simulações de espalhamento de raios X, utilizando como ponto de partida modelos dos defeitos identificados por microscopia eletrônica,podem permitir a utilização de mapas do espaço recíproco para a quantificação da densidade de defeitos e, possivelmente, a identificação dos defeitos presentes em filmes finos através da comparação com os mapas de raios X medidos.