Modelos competitivos de deposição de partículas
Ano de defesa: | 2012 |
---|---|
Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Viçosa
BR Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos. Mestrado em Física Aplicada UFV |
Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
País: |
Não Informado pela instituição
|
Palavras-chave em Português: | |
Link de acesso: | http://locus.ufv.br/handle/123456789/4255 |
Resumo: | Nesse trabalho, definimos e analisamos algumas propriedades superficiais e volumétricas dos agregados gerados através de três modelos competitivos unidimensionais de deposição de filmes finos (todos com cinética de superfície na classe de universalidade KPZ). Tais modelos representam uma competição entre a deposição balística padrão e uma outra regra de deposição dependente do modelo. Cada uma dessas novas regras que introduzimos em dois dos três modelos estão relacionadas com a energia cinética das partículas incidentes. Uma característica interessante de dois dos nossos modelos é a existência de processos de reestruturação das partículas que já estavam ligadas no depósito; tais processos dependem da velocidade das partículas incidentes. Mostramos que os nossos modelos exibem o mesmo comportamento de escala observado em outros modelos competitivos. Estudamos, em cada um dos modelos, a variação das propriedades superficiais e volumétricas em função de um parâmetro F, em que F é a razão entre a quantidade de partículas que obedecem a regra de deposição balística padrão e a quantidade total de partículas depositadas. Por fim, relacionamos algumas propriedades superficiais e volumétricas e usamos uma lei de escala para caracterizar a morfologia dos poros dos agregados gerados pelos nossos três modelos como função de um comprimento de escala específico. |