Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2017 |
| Autor(a) principal: |
Silva Junior, Gilberto Rodrigues da |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Viçosa
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| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: |
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| Link de acesso: |
http://www.locus.ufv.br/handle/123456789/18267
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Resumo: |
Neste trabalho, foi realizada a caracterização estrutural de camadas de CdTe crescidas sobre substrato de Si(111). Mais precisamente, foi analisada a influência da temperatura de crescimento na qualidade estrutural das camadas. As amostras foram obtidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) e caracterizadas por difração de raios-X de alta resolução. As características estruturais foram analisadas através de medidas 2θ - ω e rocking curve , além da construção de mapas do espaço recíproco em torno das reflexões de Bragg simétricas (111) e assimétricas (224). Todos os resultados obtidos através das medidas de difração de raios-X indicaram que o aumento da temperatura de crescimento favoreceu o crescimento de uma camada epitaxial com menor densidade de defeitos. Além disso, as construções dos mapas do espaço recíproco possibilitaram uma análise mais detalhada da estrutura cristalina da camada epitaxial. Os mapas simétricos indicaram que abaixo de 300°C a camada cresceu com características de um policristal com textura, além de evidenciar a existência de uma inclinação cristalográfica entre as redes cristalinas da camada e do substrato. Os mapas assimétricos possibilitaram obter o estado de relaxação da camada, cujas características se mostraram condizentes com camadas epitaxiais totalmente relaxadas. |
