Estudo da síntese de amostras do sistema Si2Sb2Te5 por imagem de alta energia
| Ano de defesa: | 2016 |
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| Autor(a) principal: | |
| Orientador(a): | |
| Banca de defesa: | |
| Tipo de documento: | Dissertação |
| Tipo de acesso: | Acesso aberto |
| Idioma: | por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal do Triângulo Mineiro
Instituto de Ciências Tecnológicas e Exatas - ICTE::Programa de Mestrado Profissional em Inovação Tecnológica Brasil UFTM Programa de Mestrado Profissional em Inovação Tecnológica |
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
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| Departamento: |
Não Informado pela instituição
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| País: |
Não Informado pela instituição
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| Palavras-chave em Português: | |
| Link de acesso: | http://bdtd.uftm.edu.br/handle/tede/361 |
Resumo: | O objetivo desta pesquisa foi demonstrar que é possível obter amostras policristalinas do sistema Si2Sb2Te5 por moagem de alta energia (MAE). A MAE tem chamado atenção pela sua simplicidade, sendo brevemente definida como uma síntese mecanoquímica de misturas entre pós de altíssima pureza de diferentes materiais que são submetidos à moagem para a obtenção de uma liga homogênea. A fase de interesse objeto de estudo desta pesquisa é o Si2Sb2Te5, que encontra aplicabilidade na indústria de dispositivos eletrônicos em produtos ópticos de armazenamento de dados, em função de suas propriedades peculiares que o tornam um dos materiais de mudança de fase mais cogitados para a próxima geração de dispositivos de armazenamento de dados não-volátil. Neste trabalho foi demonstrado que a MAE pode ser utilizada para sintetizar o Si2Sb2Te5, pois após um período de 6 horas de moagem dos pós de Silício (Si), Antimônio (Sb) e Telúrio (Te) na estequiometria 2:2:5, respectivamente, estes foram caracterizados por Difração de Raios X, e analisados por Microscopia Eletrônica de Varredura e Espectroscopia de Energia Dispersiva, que confirmaram a formação da fase desejada. O tamanho médio das partículas após moagem aferido por um software específico para este fim, foi de aproximadamente 0,542807µm ± 0,161021µm. |