Detalhes bibliográficos
Ano de defesa: |
2024 |
Autor(a) principal: |
Dias, Iago Lemos |
Orientador(a): |
Tentardini, Eduardo Kirinus |
Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
Tipo de documento: |
Dissertação
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Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
Idioma: |
por |
Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
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Programa de Pós-Graduação: |
Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais
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Departamento: |
Não Informado pela instituição
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País: |
Não Informado pela instituição
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Palavras-chave em Português: |
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Palavras-chave em Inglês: |
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Área do conhecimento CNPq: |
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Link de acesso: |
https://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/19867
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Resumo: |
Ti1-xAlxN thin films with different Al contents (20, 40 and 60 at.%) were deposited by reactive magnetron sputtering with the aim of studying the structure in which the films are presented, evaluating whether there is formation of a Ti1-xAlxN solid solution or if there is only the presence of two binary nitrides TiN + AlN. The SEM-FEG, nanohardness and oxidation tests at high temperatures were inconclusive to determine the structure of the thin films, however, the GAXRD analyzes of the samples indicated a reduction in the lattice parameter and an increase in the size of the crystallites, providing greater evidence of the formation of Ti1-xAlxN ternary nitride in all coatings from the replacement of Ti by Al in the TiN structure. The XPS results confirmed the presence of the Ti-Al-N chemical bond from the analysis of the Ti 2p, Al 2p and N 1s regions, confirming the formation of the Ti1-xAlxN solid solution in all deposited samples. |