Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2023 |
| Autor(a) principal: |
Santos, Júlio César Valeriano dos |
| Orientador(a): |
Tentardini, Eduardo Kirinus |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
|
| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Não Informado pela instituição
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: |
|
| Palavras-chave em Inglês: |
|
| Área do conhecimento CNPq: |
|
| Link de acesso: |
https://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/17932
|
Resumo: |
ZrN thin films with 1.6% Si addition were deposited via reactive magnetron sputtering and characterized by RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS and high temperature oxidation tests, aiming to investigate how structurally silicon is inserted in ZrN matrix. GAXRD analyses show a reduction in lattice parameter and grain size due to Si incorporation and XPS analyses demonstrate Si is present in nitride form. Such observations suggest the non-formation of substitutional or interstitial solid solution with ZrN, but the presence of Si3N4, even in low Si concentrations. |