Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2014 |
| Autor(a) principal: |
Oliveira, Arnaldo Cesar Almeida
 |
| Orientador(a): |
Araújo, Moisés Augusto da Silva Monteiro de |
| Banca de defesa: |
Silva, Alexandre Pinheiro da,
Bauerfeldt, Glauco Favilla |
| Tipo de documento: |
Dissertação
|
| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal Rural do Rio de Janeiro
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-Graduação em Modelagem Matemática e Computacional
|
| Departamento: |
Instituto de Ciências Exatas
|
| País: |
Brasil
|
| Palavras-chave em Português: |
|
| Palavras-chave em Inglês: |
|
| Área do conhecimento CNPq: |
|
| Link de acesso: |
https://rima.ufrrj.br/jspui/handle/20.500.14407/14357
|
Resumo: |
Compreender as propriedades estruturais de discordâncias cristalinas é fundamental uma vez que estes defeitos governam os processos de deformação plástica em materiais. Particularmente em semicondutores, esses estudos são importantes dada a relevância desses materiais para a microeletrônica. Neste trabalho nosso foco serão as discordâncias cristalinas parciais a 90o em silício. Para o estudo teórico em escala atômica das discordâncias cristalinas, usamos simulações baseadas em metodologias quanto-mecânicas semi-empíricas através de um método intimamente ligado ao tratamento tight-binding, uma vez que considera em sua formulação que os estados eletrônicos cristalinos podem ser descritos em termos de orbitais atômicos: Método da Matriz Densidade Tight-Binding de Ordem-N (DMTB). Este método tem um custo computacional baixo o que permite que trabalhemos com sistemas muito grandes de átomos na representação das estruturas – com milhares de sítios inclusive. Em suma, descrevemos como produzir e representar as discordâncias parciais a 90o em Si consideramos três modelos para sua estrutura de caroço: um não reconstruído onde os átomos possuem uma coordenação quase quíntupla; um modelo reconstruído com período igual ao período da rede perfeita; e um modelo com período dobrado em relação ao da rede perfeita. Por fim, calculamos a variação da energia do sistema com a distância entre as discordâncias e a superfície livre do Si. |
