Geração automática de redes de transistores dedicada a dispositivos FinFET com gates independentes baseada em composição funcional.

• Ano de defesa: 2016
• Autor(a) principal: Souza, Renato Souza de
• Orientador(a): Rosa Junior, Leomar Soares da
• Tipo de documento: Dissertação
• Tipo de acesso: Acesso aberto
• Idioma: por
• Instituição de defesa: Universidade Federal de Pelotas
• Programa de Pós-Graduação: Programa de Pós-Graduação em Computação
• Departamento: Centro de Desenvolvimento Tecnológico
• País: Brasil
• Palavras-chave em Português: VLSI design; Tecnologia CMOS; Tecnologia FinFET; Transistor; MOSFET; (IG) FinFET; Double gate; CMOS technology; FinFET technology
• Área do conhecimento CNPq: CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::CIENCIA DA COMPUTACAO
• Link de acesso: http://guaiaca.ufpel.edu.br/handle/prefix/8600

A evolução no desenvolvimento dos circuitos VLSI se deve basicamente ao avanço da tecnologia CMOS. A cada nova geração, circuitos integrados menores e com melhor desempenho elétrico são fabricados. No entanto, o continuo dimensionamento e miniaturização da tecnologia CMOS abaixo dos 22 nanômetros é um constante desafio. Um dos problemas apontados, devido aos limites físicos, é o aumento do consumo de energia do circuito, mesmo esse estando em estado de equilíbrio. Esse consumo é ocasionado pela redução do canal do transistor, conhecido por corrente de fuga. Dessa forma, algumas alternativas foram sugeridas por pesquisadores nos últimos anos com o intuito de resolver os problemas apontados. Dentre elas, foi proposta a tecnologia FinFET. Esta tecnologia consiste em uma nova abordagem para a construção de um transistor em três dimensões. Assim, o gate do transistor mantem contato com três faces do canal, proporcionando um controle maior do fluxo dos elétrons no canal. Estudos mostram que o transistor FinFET apresenta vantagens significativas em termos de desempenho e eficiência energética quando comparado ao transistor MOSFET. A estrutura padrão de um transistor FinFET é conhecida como Single Gate (SG) FinFET. Contudo, algumas variações desta estrutura foram propostas. Uma destas variações estruturais é conhecida como Independent Gate (IG) FinFET, onde um transistor (IG) FinFET pode ser implementado com dois gates. Sendo assim, existe a possibilidade de controlar cada um dos gates independentes com um sinal de entrada diferente. Consequentemente, explorar os agrupamentos de um transistor (IG) FinFET double gate acaba por tornar-se um meio interessante para reduzir o número de transistores em um circuito. Neste sentido surgem novos desafios na geração de redes de transistores durante as etapas de síntese lógica e física. Neste trabalho propõem-se um método alternativo para a geração de redes de transistores dedicadas a dispositivos (IG) FinFET double gate. O método baseia-se em uma metodologia conhecida como Composição Funcional. Os experimentos realizados demonstram que o método proposto é capaz de gerar redes de transistores (IG) FinFET double gate otimizadas quando comparado com os métodos dedicados a este mesmo propósito.