Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2011 |
| Autor(a) principal: |
Santana, Romeu Jesus |
| Orientador(a): |
Não Informado pela instituição |
| Banca de defesa: |
Não Informado pela instituição |
| Tipo de documento: |
Dissertação
|
| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Programa de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais. Rede Temática em Engenharia de Materiais, Pró-Reitoria de Pesquisa e Pós-Graduação, Universidade Federal de Ouro Preto.
|
| Programa de Pós-Graduação: |
Não Informado pela instituição
|
| Departamento: |
Não Informado pela instituição
|
| País: |
Não Informado pela instituição
|
| Palavras-chave em Português: |
|
| Link de acesso: |
http://www.repositorio.ufop.br/handle/123456789/2827
|
Resumo: |
Filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram desenvolvidos para aplicações fotovoltaicas. Esses filmes são atualmente muito utilizados em células solares HSJ como camada absorvedora devido às suas boas propriedades ópticas e elétricas, associado a um band gap razoavelmente baixo e um reduzido custo de produção. Os filmes foram sintetizados por pulverização catódica (sputtering d.c.). As técnicas de caracterização utilizadas foram perfilômetria, Raman, IR e UV-vis para sua caracterização estrutural, química e óptica, respectivamente. Para a avaliação dos parâmetros físicos, adotaram-se como variáveis dependentes o coeficiente da absorção óptica, o teor de fase amorfa e a concentração de hidrogênio no material formado. As variáveis independentes utilizadas neste estudo são: pressão e temperatura de deposição. Os filmes finos amorfos foram auferidos com concentrações de hidrogênio superiores a 10% e band gap na faixa de 1,9eV. |
