Detalhes bibliográficos
| Ano de defesa: |
2023 |
| Autor(a) principal: |
Ildefonso, Letícia Mara Vieira
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| Orientador(a): |
Fragneaud, Benjamin
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| Banca de defesa: |
Archanjo, Bráulio Soares
,
Barcelos, Ingrid David
,
Ludwig, Zélia Maria da Costa
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| Tipo de documento: |
Dissertação
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| Tipo de acesso: |
Acesso aberto |
| Idioma: |
por |
| Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
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| Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-graduação em Física
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| Departamento: |
ICE – Instituto de Ciências Exatas
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| País: |
Brasil
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| Palavras-chave em Português: |
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| Área do conhecimento CNPq: |
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| Link de acesso: |
https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/16841
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Resumo: |
Nos últimos anos, os dicalcogenetos de metais de transição (TMDs) têm sido vastamente estudados devido às suas surpreendentes propriedades optoeletrônicas. Recentemente, o estudo de defeitos nesses materiais possibilita a aplicação em dispositivos semicondutores, já que sítios de defeito perturbam a rede cristalina localmente, levando a uma espécie de engenharia de estrutura de banda. Neste trabalho, sintetizamos monocamadas de WS2 e WSe2 via deposição química a vapor (CVD), e estudamos os tamanhos e morfologias desses materiais em função da quantidade de H2 presente nas sínteses. Realizamos o estudo de defeitos pontuais em monocamadas de WS2, bombardeando os cristais por um feixe de íons de He. Verificamos a existência de algumas bandas Raman e novas transições eletrônicas, presentes nos espectros de fotoluminescência, ativadas por defeitos. O mesmo modelo de defeito pontual que permite prever o grau de cristalinidade do grafeno e TMD de molibdênio foi empregado para visualizar quando WS2 começa a se tornar amorfo. Assim, este trabalho possibilita a identificação de defeitos em TMDs de tungstênio, que é um material promissor a ser utilizado na indústria de semicondutores. |
