Síntese por CVD de WS2 e WSe2 e quantificação de defeitos estruturais via Espectroscopias Raman e de Fotoluminescência - Ildefonso, Letícia Mara Vieira (2023)
Nos últimos anos, os dicalcogenetos de metais de transição (TMDs) têm sido vastamente estudados devido às suas surpreendentes propriedades optoeletrônicas. Recentemente, o estudo de defeitos nesses materiais possibilita a aplicação em dispositivos semicondutores, já que sítios de defeito perturbam a rede cristalina localmente, levando a uma espécie de engenharia de estrutura de banda. Neste trabalho, sintetizamos monocamadas de WS2 e WSe2 via deposição química a vapor (CVD), e estudamos os tamanhos e morfologias desses materiais em função da quantidade de H2 presente nas sínteses. Realizamos o estudo de defeitos pontuais em monocamadas de WS2, bombardeando os cristais por um feixe de íons de He. Verificamos a existência de algumas bandas Raman e novas transições eletrônicas, presentes nos espectros de fotoluminescência, ativadas por defeitos. O mesmo modelo de defeito pontual que permite prever o grau de cristalinidade do grafeno e TMD de molibdênio foi empregado para visualizar quando WS2 começa a se tornar amorfo. Assim, este trabalho possibilita a identificação de defeitos em TMDs de tungstênio, que é um material promissor a ser utilizado na indústria de semicondutores.