Síntese por CVD do Disseleneto de Molibdênio (MoSe2) e quantificação de defeitos estruturais por espectroscopia Raman
Ano de defesa: | 2021 |
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Autor(a) principal: | |
Orientador(a): | |
Banca de defesa: | , |
Tipo de documento: | Dissertação |
Tipo de acesso: | Acesso aberto |
Idioma: | por |
Instituição de defesa: |
Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)
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Programa de Pós-Graduação: |
Programa de Pós-graduação em Física
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Departamento: |
ICE – Instituto de Ciências Exatas
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País: |
Brasil
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Palavras-chave em Português: | |
Área do conhecimento CNPq: | |
Link de acesso: | https://doi.org/10.34019/ufjf/di/2021/00455 https://repositorio.ufjf.br/jspui/handle/ufjf/14141 |
Resumo: | Este trabalho teve por objetivo o estudo de dicalcogenetos de metais de transição. No decorrer desta atividade foi possível construir o saber para síntese do MoSe2 por Deposição Química a Vapor em substrato de Si/SiO2 sem pré-tratamento. Foi possível obter controle do nível de cobertura do substrato com cristais de MoSe2, além do tamanho e forma de diversas formas cristalográficas em função da pressão parcial de H2. Além disso, realizamos o estudo de defeitos pontuais criados em monocamadas triangulares de MoSe2 por feixe de íons de hélio, possibilitando a identificação de novas bandas de defeitos no espectro Raman desse material. |